O Transistor MOSFET de Potência K12A60D é um componente semicondutor de alta performance, projetado para operar com máxima eficiência em circuitos de chaveamento eletrônico rápido e alta tensão. Desenvolvido com base na arquitetura de efeito de campo canal N (N-Channel), ele oferece uma resistência extremamente baixa no estado de condução (Rds-on), permitindo controlar grandes fluxos de corrente com perdas mínimas por dissipação térmica.

Sua aplicação é fundamental para técnicos de manutenção e engenheiros que realizam reparos ou projetos em fontes estabilizadas e inversores de alta potência. O invólucro plástico totalmente isolado padrão elimina a necessidade de mantas isolantes térmicas de mica ou silicone durante a montagem, resolvendo o problema de curtos-circuitos acidentais contra o dissipador metálico e garantindo a fixação em espaços reduzidos com total estabilidade.

Para garantir o perfeito funcionamento e a longevidade do componente, aplique uma camada fina e uniforme de pasta térmica em sua face traseira antes do acoplamento ao dissipador de calor. Execute a soldagem dos terminais de Gate, Dreno e Fonte com o circuito completamente desenergizado, adotando os devidos cuidados contra descargas eletrostáticas (ESD) durante o manuseio.

Especificações Técnicas:

- Polaridade: Canal N
- Encapsulamento: TO-220
- Tensão Máxima Dreno-Fonte: 600V
- Corrente Contínua de Dreno: 12A
- Corrente de Dreno Pulsada: 48A
- Resistência Máxima em Condução (Rds-on): 0,55mega
- Funções: Chaveamento eletrônico de alta tensão, comutação rápida e regulação de potência
- Aplicação principal: Fontes chaveadas (SMPS), conversores DC-DC, inversores de frequência e drivers de motores elétricos

Circuito Integrado K12A60 TO-220F Transistor Mosfet Canal N