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Transistor Fqp10n80 P10n80 P10 N80 P 10n80
Ref: P10N80*
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O transistor P10N80 é um MOSFET de canal N metálico projetado para suportar altas tensões e correntes em aplicações de comutação. Com capacidade de operar até 800V e 10A, é ideal para fontes chaveadas, inversores, reatores eletrônicos e sistemas de controle industrial. Sua estrutura metálica melhora a dissipação térmica e garante desempenho confiável em ambientes exigentes.
Especificações Técnicas:
- Modelo: P10N80
- Tipo: MOSFET de canal N
- Polaridade: N
- Tensão de entrada Vgs: até 30V
- Tensão de saída Vds: até 800V
- Corrente contínua de dreno Id: 10A
- Encapsulamento: metálico tipo TO-3P
- Resistência de condução Rds(on): baixa
- Aplicações: fontes chaveadas, reatores eletrônicos, inversores, controle de motores, sistemas industriais
- Temperatura de operação: de menos 55 graus a 150 graus Celsius
Especificações Técnicas:
- Modelo: P10N80
- Tipo: MOSFET de canal N
- Polaridade: N
- Tensão de entrada Vgs: até 30V
- Tensão de saída Vds: até 800V
- Corrente contínua de dreno Id: 10A
- Encapsulamento: metálico tipo TO-3P
- Resistência de condução Rds(on): baixa
- Aplicações: fontes chaveadas, reatores eletrônicos, inversores, controle de motores, sistemas industriais
- Temperatura de operação: de menos 55 graus a 150 graus Celsius