O transistor RJP 63F3 é um IGBT de potência tipo canal N, projetado para aplicações que exigem alta corrente e tensão, como inversores, fontes chaveadas e controle de motores. Possui encapsulamento TO-220, o que facilita a dissipação térmica e a montagem em placas de circuito. É ideal para projetos industriais e eletrônicos que demandam eficiência e robustez, oferecendo baixa tensão de saturação e rápida comutação.
Especificações Técnicas:
- Tipo: IGBT canal N
- Encapsulamento: TO-220
- Tensão máxima coletor-emissor: 630V
- Corrente máxima do coletor: 40A
- Polaridade: canal N
- Baixa tensão de saturação coletor-emissor
- Aplicações: inversores, fontes chaveadas, controle de motores, sistemas industriais
- Temperatura de operação: consultar datasheet do fabricante para faixa exata
