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Transistor Irfb3307 Irfb 3307 Irf B3307 - Mosfet
Ref: IRFB3307
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O transistor IRFB3307 é um MOSFET de canal N projetado para aplicações de alta performance que exigem alta corrente e rápida comutação. Indicado para controle de motores, fontes chaveadas, amplificadores e drivers de LED, oferece robustez e eficiência em circuitos de potência.
Especificações Técnicas:
- Tipo: Transistor de efeito de campo canal N
- Encapsulamento: TO-220AB
- Tensão máxima entre dreno e fonte: 75 volts
- Corrente contínua máxima do dreno: 130 amperes
- Tensão máxima entre gate e fonte: 20 volts
- Tensão de limiar do gate: aproximadamente 2 a 4 volts
- Resistência interna em condução: 6,3 mili-ohms
- Tempo de comutação: 10 nanosegundos
- Potência máxima dissipada: até 250 watts, dependendo da dissipação térmica
- Temperatura de operação: de menos 55 a 175 graus Celsius
- Aplicações: controle de motores, fontes chaveadas, amplificadores, acionamento de LEDs, sistemas solares e turbinas eólicas
Especificações Técnicas:
- Tipo: Transistor de efeito de campo canal N
- Encapsulamento: TO-220AB
- Tensão máxima entre dreno e fonte: 75 volts
- Corrente contínua máxima do dreno: 130 amperes
- Tensão máxima entre gate e fonte: 20 volts
- Tensão de limiar do gate: aproximadamente 2 a 4 volts
- Resistência interna em condução: 6,3 mili-ohms
- Tempo de comutação: 10 nanosegundos
- Potência máxima dissipada: até 250 watts, dependendo da dissipação térmica
- Temperatura de operação: de menos 55 a 175 graus Celsius
- Aplicações: controle de motores, fontes chaveadas, amplificadores, acionamento de LEDs, sistemas solares e turbinas eólicas