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Transistor Irfp4668 = Irfp 4668 = Irf P4668 Mosfet - To247
Ref: IRFP4668
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O Transistor IRFP4668 é um MOSFET de potência N-Channel projetado para aplicações que exigem alta eficiência, controle térmico e desempenho robusto. Ideal para uso em amplificadores de áudio, fontes chaveadas (SMPS), inversores, sistemas de controle de motores e equipamentos industriais, este componente garante confiabilidade em projetos de alta potência.
Com capacidade de suportar elevadas correntes e tensões, o IRFP4668 se destaca pela sua rápida comutação e baixa resistência de condução (RDS(on)), contribuindo para menor dissipação de energia e maior eficiência do sistema.
Especificações Técnicas:
- Tipo: MOSFET N-Channel
- Modelo: IRFP4668
- Tensão de drenagem-fonte (Vds): 200V
- Corrente de drenagem contínua (Id): 130A @ 25°C
- Potência de dissipação (Pd): 520W
- Resistência de condução (RDS(on)): 0.0065 Ohm (typ)
- Tensão de gate (Vgs): ±20V
- Tipo de encapsulamento: TO-247
- Frequência de chaveamento: Alta
- Temperatura de operação: -55°C a +175°C
- Aplicações: Amplificadores de áudio de alta potência, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), inversores e conversores DC/AC, controle de motores industriais e sistemas fotovoltaicos e UPS.
Com capacidade de suportar elevadas correntes e tensões, o IRFP4668 se destaca pela sua rápida comutação e baixa resistência de condução (RDS(on)), contribuindo para menor dissipação de energia e maior eficiência do sistema.
Especificações Técnicas:
- Tipo: MOSFET N-Channel
- Modelo: IRFP4668
- Tensão de drenagem-fonte (Vds): 200V
- Corrente de drenagem contínua (Id): 130A @ 25°C
- Potência de dissipação (Pd): 520W
- Resistência de condução (RDS(on)): 0.0065 Ohm (typ)
- Tensão de gate (Vgs): ±20V
- Tipo de encapsulamento: TO-247
- Frequência de chaveamento: Alta
- Temperatura de operação: -55°C a +175°C
- Aplicações: Amplificadores de áudio de alta potência, fontes de alimentação chaveadas (SMPS), inversores e conversores DC/AC, controle de motores industriais e sistemas fotovoltaicos e UPS.