O IRG7R313 é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) desenvolvido pela International Rectifier, projetado especificamente para aplicações em painéis de plasma (PDP). Este dispositivo utiliza tecnologia avançada de trench IGBT para alcançar baixa tensão de saturação (VCE(on)) e alta eficiência energética.
Especificações Técnicas:
- Modelo: IRG7R313
- Tipo: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Aplicação: Painéis de Plasma (PDP)
- Tecnologia: Trench IGBT
- Tensão de Coletor-Emissor (VCE): 330V
- Corrente de Coletor (IC): 30A
- Temperatura de Operação: -55°C a 150°C
- Encapsulamento: TO-252
