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Transistor P10nm60smd P 10nm60smd - To252
Ref: P10N60SMD
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O P10N60SMD é um transistor MOSFET de canal N, ideal para aplicações de comutação de alta tensão e corrente, como fontes chaveadas, inversores e equipamentos industriais. Ele oferece alta eficiência e baixa resistência de condução, sendo uma excelente escolha para projetos eletrônicos compactos em montagem superficial.
Especificações Técnicas:
- Tipo: MOSFET de canal N
- Modelo: P10N60
- Encapsulamento: TO-252 (SMD)
- Tensão máxima de dreno-fonte: 600 V
- Corrente de dreno contínua: 10 A
- Resistência de condução: 0.85 Ohms
- Tensão de porta: ±30 V
- Dissipação de potência: até 125 W
- Capacitância de entrada: 970 pF
- Tempo de comutação rápido: adequado para chaveamento em alta frequência
- Aplicações: Fontes chaveadas (SMPS), fontes de alimentação industriais, inversores e conversores DC-DC, controle de motores e cargas indutivas e aparelhos eletrônicos de potência em geral.
Especificações Técnicas:
- Tipo: MOSFET de canal N
- Modelo: P10N60
- Encapsulamento: TO-252 (SMD)
- Tensão máxima de dreno-fonte: 600 V
- Corrente de dreno contínua: 10 A
- Resistência de condução: 0.85 Ohms
- Tensão de porta: ±30 V
- Dissipação de potência: até 125 W
- Capacitância de entrada: 970 pF
- Tempo de comutação rápido: adequado para chaveamento em alta frequência
- Aplicações: Fontes chaveadas (SMPS), fontes de alimentação industriais, inversores e conversores DC-DC, controle de motores e cargas indutivas e aparelhos eletrônicos de potência em geral.