O transistor P18N50 é um componente eletrônico essencial para diversas aplicações em circuitos eletrônicos. Este transistor MOSFET de canal N é conhecido por sua alta eficiência e capacidade de manuseio de corrente. Com encapsulamento metálico TO-220, ele oferece excelente dissipação de calor e durabilidade.
Especificações Técnicas:
- Tipo: MOSFET de Canal N
- Encapsulamento: TO-220
- Tensão de Drenagem-Fonte (Vds): 500 V
- Corrente de Drenagem Contínua (Id): 18 A
- Resistência de Drenagem-Fonte (Rds): 0.265 Ohm
- Tensão de Porta-Fonte (Vgs): +- 30 V
- Dissipação de Potência (Pd): 235 W
- Temperatura Operacional: -55°C a +150°C
- Carga de Porta (Qg): 45 nC
