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Transistor P20n60 Pequeno P20 N60 S5 P 20n60 S5
Ref: P20N60S5*
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O transistor P20N60 S5 é um MOSFET de canal N projetado para aplicações de comutação em alta tensão e corrente. Compacto e eficiente, ele suporta até 600V e 20A, sendo ideal para uso em fontes chaveadas, inversores, equipamentos industriais e projetos de controle de potência. Sua construção robusta garante desempenho confiável e longa vida útil mesmo em condições exigentes.
Especificações Técnicas:
- Modelo: P20N60 S5
- Tipo: MOSFET de canal N
- Tensão máxima de dreno-fonte Vds: 600V
- Corrente contínua de dreno Id: 20A
- Resistência de condução Rds(on): baixa
- Encapsulamento: TO-220
- Aplicações: fontes chaveadas, inversores, controle de motores, sistemas industriais
- Tensão de gate Vgs: 30V
- Temperatura de operação: de menos 55 graus a 150 graus Celsius
Especificações Técnicas:
- Modelo: P20N60 S5
- Tipo: MOSFET de canal N
- Tensão máxima de dreno-fonte Vds: 600V
- Corrente contínua de dreno Id: 20A
- Resistência de condução Rds(on): baixa
- Encapsulamento: TO-220
- Aplicações: fontes chaveadas, inversores, controle de motores, sistemas industriais
- Tensão de gate Vgs: 30V
- Temperatura de operação: de menos 55 graus a 150 graus Celsius