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Transistor P25nm60 P 25nm60 P25n60 - Mosfet To247
Ref: P25N60
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O Transistor P25NM60 TO-247 é um MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações que exigem robustez, eficiência e confiabilidade. Com capacidade para suportar até 25 amperes de corrente e tensão máxima de 600 volts, é ideal para fontes chaveadas, inversores, fontes industriais, drivers de motores e outros projetos de alta potência e comutação rápida.
O encapsulamento TO-247 oferece excelente dissipação térmica e facilidade de montagem, tornando-o a escolha certa para profissionais e indústrias que buscam qualidade e durabilidade. Garanta já o seu P25NM60 e eleve o padrão dos seus equipamentos eletrônicos!
Especificações Técnicas:
- Tipo: MOSFET canal N
- Encapsulamento: TO-247
- Corrente máxima de dreno (Id): 25 amperes
- Tensão máxima dreno-fonte (Vds): 600 volts
- Tensão máxima porta-fonte (Vgs): 25 volts
- Dissipação máxima de potência (Pd): 160 watts
- Resistência dreno-fonte (Rds on): 0,16 ohms
- Temperatura máxima de junção (Tj): 150 graus Celsius
- Tempo de subida (tr): 18 nanossegundos
- Capacitância de saída (Coss): 200 picofarads
- Código equivalente: W25NM60
O encapsulamento TO-247 oferece excelente dissipação térmica e facilidade de montagem, tornando-o a escolha certa para profissionais e indústrias que buscam qualidade e durabilidade. Garanta já o seu P25NM60 e eleve o padrão dos seus equipamentos eletrônicos!
Especificações Técnicas:
- Tipo: MOSFET canal N
- Encapsulamento: TO-247
- Corrente máxima de dreno (Id): 25 amperes
- Tensão máxima dreno-fonte (Vds): 600 volts
- Tensão máxima porta-fonte (Vgs): 25 volts
- Dissipação máxima de potência (Pd): 160 watts
- Resistência dreno-fonte (Rds on): 0,16 ohms
- Temperatura máxima de junção (Tj): 150 graus Celsius
- Tempo de subida (tr): 18 nanossegundos
- Capacitância de saída (Coss): 200 picofarads
- Código equivalente: W25NM60