O P6N90 é um transistor MOSFET de canal N, amplamente utilizado em aplicações de comutação e amplificação de potência. Este componente é conhecido por sua alta capacidade de corrente e tensão, sendo ideal para diversas aplicações industriais e eletrônicas.

Especificações Técnicas:

- Tipo: MOSFET de Canal N
- Encapsulamento: TO-220 Isolado
- Tensão Máxima de Dreno-Fonte (VDS): 900 V
- Corrente Máxima de Dreno (ID): 5.8 A
- Resistência de Condução (RDS(on)): 1.56 Ω
- Tensão de Gatilho (VGS(th)): 3-4.5 V
- Dissipação Total de Potência (PD): 140 W
- Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
- Aplicações: Conversores DC-DC, fontes de alimentação, controle de motores, e outras aplicações de comutação de potência.