O transistor RJP 30E2 é um IGBT de potência tipo canal N, encapsulado no formato grande TO-247, projetado para aplicações que exigem alta tensão e corrente, como inversores, fontes chaveadas e sistemas industriais. Ele oferece rápida comutação, baixa tensão de saturação e alta eficiência, sendo ideal para circuitos de acionamento de cargas e controle de motores.
Especificações Técnicas:
- Tipo: IGBT canal N
- Encapsulamento: TO-247
- Tensão máxima coletor-emissor: 360V
- Corrente máxima do coletor: 35A
- Tensão máxima gate-emissor: 30V
- Potência máxima dissipada: 25W
- Tensão de saturação coletor-emissor típica: 1,7V
- Tempo de subida: 100ns típico
- Capacitância de saída: 60pF típica
- Temperatura de operação: -55 a 150 graus Celsius
- Polaridade: canal N
- Aplicações: inversores, fontes chaveadas, controle de motores, sistemas industriais