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Transistor Rjp30h1 = 30h1 Smd = Rjp30h1smd - To252
Ref: RJP30H1
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O RJP30H1 é um transistor de potência N-channel em embalagem SMD, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e robustez em comutação. Este dispositivo é ideal para uso em circuitos de controle de potência, fontes de alimentação e inversores, oferecendo um desempenho confiável em uma ampla gama de aplicações.
Especificações Técnicas:
- Tipo: Transistor N-channel
- Tensão Coletor-Emissor (VCE): 300 V
- Corrente de Coletor (IC): 30 A (contínua)
- Dissipação de Potência (PD): 94 W
- Tensão de Gate-Emissor (VGE): ±20 V
- Resistência de Condução (RDS(on): 0,06 ohm (típico)
- Encapsulamento: SMD (TO252)
- Aplicações: Fontes de alimentação chaveadas, inversores de frequência, circuitos de controle de motor, sistemas de automação e controle industrial
Especificações Técnicas:
- Tipo: Transistor N-channel
- Tensão Coletor-Emissor (VCE): 300 V
- Corrente de Coletor (IC): 30 A (contínua)
- Dissipação de Potência (PD): 94 W
- Tensão de Gate-Emissor (VGE): ±20 V
- Resistência de Condução (RDS(on): 0,06 ohm (típico)
- Encapsulamento: SMD (TO252)
- Aplicações: Fontes de alimentação chaveadas, inversores de frequência, circuitos de controle de motor, sistemas de automação e controle industrial