O RJP30H1 é um transistor IGBT de canal N, fabricado pela Renesas Technology Corp. Este componente é ideal para aplicações de comutação de alta velocidade e potência, devido à sua baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente.
Especificações Técnicas:
- Tipo: IGBT de Canal N
- Encapsulamento: TO-220FL
- Tensão Máxima de Coletor-Emissor (VCE): 600 V
- Corrente Máxima de Coletor (IC): 30 A
- Resistência de Condução (RDS(on)): 1.5 Ω
- Tensão de Gatilho (VGE(th)): 4.5 V
- Dissipação Total de Potência (PD): 150 W
- Temperatura de Operação: -55°C a +150°C
- Aplicações: Conversores DC-DC, fontes de alimentação, controle de motores, e outras aplicações de comutação de potência.
