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Transitor IRF8010 - Original
Ref: IRF8010
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O IRF8010 é um transistor MOSFET de potência projetado para utilização em uma variedade de aplicações de comutação de alta potência.
O IRF8010 tem uma tensão máxima de fonte de drenagem (Vds) de 55 volts e uma corrente de drenagem contínua (Id) de 75 ampères. Tem uma baixa resistência no estado (Rds(on)) de 10 miliohms, permitindo uma conversão de energia eficiente e dissipação de energia mínima. O transistor é projetado para operar em altas velocidades de comutação, com um tempo de comutação típico de 20 nanossegundos.
O IRF8010 está alojado em um pacote TO-220, que fornece boa condutividade térmica e permite fácil montagem em um dissipador de calor. Ele é projetado para operar em uma ampla faixa de temperatura, de -55 ° C a 175 ° C, tornando-o adequado para utilização em ambientes adversos.
Especificações Técnicas:
TRANSISTOR IRF 8010 - ORIGINAL
O IRF8010 tem uma tensão máxima de fonte de drenagem (Vds) de 55 volts e uma corrente de drenagem contínua (Id) de 75 ampères. Tem uma baixa resistência no estado (Rds(on)) de 10 miliohms, permitindo uma conversão de energia eficiente e dissipação de energia mínima. O transistor é projetado para operar em altas velocidades de comutação, com um tempo de comutação típico de 20 nanossegundos.
O IRF8010 está alojado em um pacote TO-220, que fornece boa condutividade térmica e permite fácil montagem em um dissipador de calor. Ele é projetado para operar em uma ampla faixa de temperatura, de -55 ° C a 175 ° C, tornando-o adequado para utilização em ambientes adversos.
Especificações Técnicas:
TRANSISTOR IRF 8010 - ORIGINAL